SE序列相位一致是指以下哪项()

A . 180°脉冲激励后 B . 180°脉冲激励时 C . 90°脉冲激励后 D . 磁场不均匀所致的相位差别 E . 以上都不对

A . A、180°脉冲激励时 B . B、180°脉冲激励后 C . C、质子群所有质子在同一方向，同步自旋 D . D、质子群所有质子在同一方向，不同步自旋 E . E、质子群所有质子在不同方向，不同步自旋

A . A．TR≥2000ms，TE≥80ms B . B．TR≤1500ms，TE≤1500ms C . C．TR≤100ms，TE≤1500ms D . D．TR≥100ms，TE≤2000ms E . E．TR≥60ms，TE≤1500ms

A . 180°脉冲激励后 B . 180°脉冲激励时 C . 质子群所有质子在同一方向，同步自旋 D . 质子群所有质子在同一方向，不同步自旋 E . 质子群所有质子在不同方向，不同步自旋

A . 180°脉冲激励时 B . 90°脉冲激励时 C . 90°脉冲激励后 D . 使离散相位又一致 E . 横向宏观磁化矢量变小

A . TR≥2000ms，TE≥80ms B . TR≤1500ms，TE≤1500ms C . TR≤100ms，TE≤1500ms D . TR≥100ms，TE≤2000ms E . TR≥60ms，TE≤1500ms

A . 90°脉冲激励时 B . 90°脉冲激励后 C . 180°脉冲激励时 D . 使离散相位又一致 E . 横向宏观磁化矢量变小

A . 180°脉冲激励后 B . 90°脉冲激励时 C . 180°脉冲激励时 D . 纵向磁场的信号差别 E . 磁场不均匀所致的相位差别

A . A．TR≥60ms，TE≤1500ms B . B．TR≥600ms，TE≤2000ms C . C．TR≥80ms，TE≥2000ms D . D．TR≥2000ms，TE≤50ms E . E．TR≤100ms，TE≤1500ms

A . A．90°脉冲激励时 B . B．90°脉冲激励后 C . C．180°脉冲激励时 D . D．使离散相位又一致 E . E．横向宏观磁化矢量变小

A . A．纵向磁化矢量的相位一致 B . B．180°脉冲激励前的相位变化 C . C．90°脉冲激励前的相位变化 D . D．横向磁化矢量的相位一致 E . E．以上都不对

A . TR≥2000ms，TE≥80ms B . TR≤1500ms，TE≤1500ms C . TR≤100ms，TE≤1500ms D . TR≥100ms，TE≤2000ms E . TR≥60ms，TE≤1500ms

A . 磁场不均匀引起去相位 B . 横向整体信号增大 C . 180°脉冲激励时 D . 180°脉冲激励后 E . 90°脉冲激励时

A . 180°脉冲激励后 B . 180°脉冲激励时 C . 90°脉冲激励后 D . 磁场不均匀所致的相位差别 E . 以上都不对

A . A、180°脉冲激励时 B . B、180°脉冲激励后 C . C、90°脉冲激励时 D . D、磁场不均匀引起去相位 E . E、横向整体信号增大

A . A．180°脉冲激励后 B . B．90°脉冲激励时 C . C．180°脉冲激励时 D . D．纵向磁场的信号差别 E . E．磁场不均匀所致的相位差别

A．TR≥2000ms，TE≥80ms B．TR≤1500ms，TE≤1500ms C．TR≤100ms，TE≤1500ms D．TR≥100ms，TE≤2000ms E．TR≥60ms，TE≤1500ms

A．TR≥2000ms，TE≥80ms B．TR≤1500ms，TE≤1500ms C．TR≤100ms，TE≤1500ms D．TR≥100ms，TE≤2000ms E．TR≥60ms，TE≤1500ms

A．TR≥2000ms，TE≥80ms B． TR≤1500ms，TE≤1500ms C． TR≤100ms，TE≤1500ms D． TR≥100ms，TE≤2000ms E． TR≥60ms，TE≤1500ms

A．一个TR周期内首先发射一个90°RF脉冲 B．然后相继发射多个180°RF脉冲 C．形成多个自旋回波 D．采集的数据只填充K空间的一行 E．每个回波参与产生1幅图像