存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
与DRAM相比，静态RAM、SRAM的容量与读写速度为（）
为了提高CPU访问硬盘的工作效率，硬盘通过将数据存储在一个比其速度快得多的缓冲区来提高与CPU交换的速度，这个区就是高速缓冲区，它是由DRAM芯片构成的。
虚电路和数据报这两种传送方式有何区别？七号信令中的TUP消息的传送是采用哪种传送方式？
存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是（）。
总线中，猝发传输方式可提高数据传输速度
采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片的地址线条数为（）。
猝发传送是一种什么传送？
猝发转输方式
SRAM和DRAM均为RAM存储器，二者的容量与读写速度为（）
某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。
可编程并行接口芯片8255工作在方式0时，使用的传送方式是：（）
并行接口芯片8255可以支持以下传送方式中的：（）
分组无线电网的基本任务是传送猝发数据文电。
64K*1位的DRAM芯片通常有（）地址线引脚。
微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。
对DRAM芯片的刷新是按（ ）进行的。
以下叙述中错误的是（)。A．顺序文件中的数据只能按顺序读写B．对同一个文件，可以用不同的方式和不同
一DRAM芯片内部阵列2048行*1024列_其刷新周期为16ms_读写周期为0.5us_采用分散刷新方式_则芯片刷新一遍需时间。;（）
C++程序中，如果要求将文件中的所有数据依次进行处理，则使用文件的随机读写方式处理文件更为合理。（)
一DRAM芯片内部阵列2k行*1k列_其刷新周期为16ms_采用分散刷新方式_则两行之间刷新间隔时间为。;（）
有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片构成（芯片是64×64结构)。问：（1)共需要多少RAM芯片？（2)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少（3)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读／写周期？死时间率是多少？
与DRAM芯片相比，SRAM芯片的特点是______。
