差分放大电路如图11-20所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2．6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110114283686638.jpg
二室模型中的混杂参数α称为（）、β称为（）。
晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
晶体管的特征频率是指当工作频率增高，使β下降至（）时的频率。
在选择功率放大电路中的晶体管时，下列参数中需要特别注意的是（）。https://assets.asklib.com/images/image2/2017120716415511658.jpg
描述下渗率变化规律的霍顿公式中的参数f0、fc、β是（）。
放大电路如图11-13所示，已知：RB=240kΩ，RC=3kΩ，，晶体管β=40，U=12V，现该电路中的晶体管损坏，换上一个β=80的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变且忽略Ube，应把RB调整为（）kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114245564276.jpg
在如图所示电路中，晶体管工作于放大区，设各电路元件参数已知，若晶体管的电流放大倍数为β，则该电路的电压放大倍数和输出电阻分别为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110110302722226.jpg
晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）
JSS-4A型晶体管h参数测试仪中的直流放大器采用了（）放大器。
晶体管fβ参数的定义为（）。
估计线性回归方程 https://assets.asklib.com/psource/2015111011360938400.jpg 中的回归参数β0、β1时，普遍采用的估计准则是最小二乘准则。（）
JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源部分有（）档输出且连续可调，给被测管提供偏流。
在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有（ ）。
求图2．4．17所示单端输出差动放大器电路的差模输入电阻Rid共模输入电阻Ric差模电压增益Avd1、共模抑制比CMRR(s)和输出信号电压vo的值。已知晶体管的β=100，rπ=1．2kΩ，vi1=10mV，vi2=25mV，其他参数已标在图中。
晶体管放大电路如下图所示,已知:Ucc=10V,β=50。若要求UCEQ=5V,ICQ=2mA,试求电路中的Rb和Rc
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
在如图所示电路中，晶体管工作于放大区，设各电路元件参数已知，若晶体管的电流放大倍数为β，则该电路的电压放大倍数和输出电阻分别为（）。
P-Ⅲ型曲线中的3个参数分别是，β=2/CvCs，a0=（1-2Cv/Cs)。在配线法中为何一般先考虑Cs≥2Cv？
计算如图1．5．4所示电路的静态工作点ICQ、VCEO的值，并计算工作点上微变等效电路参数rπ、rce和gm值。已知晶体管为硅管，β=60，厄尔利电压为一100V。
半导体三极管主要参数有一只晶体管，其α值为0.98，当发射极电流为2mA时，该管的β值是（）
1、高频下的电流增益|βω|与频率f的乘积，是一个与频率无关而完全取决于晶体管本身的常数。
晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、的变化情况分别为（）
图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,r<sub>bb</sub>=100Q,U<sub>BRQ</sub>≈0.7V.试求R<sub>w</sub>的滑动端在中点时T<sub>1</sub>管和T<sub>2</sub>管的发射极静态电流I<sub>EQ</sub>以及动态参数A<sub>d</sub>和R<sub>t</sub>.
