虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
在光纤材料中的杂质如氢氧根离子（OH-）、过渡金属离子（铜、铁、铬等）对光的吸收能力极强，它们是产生光纤损耗的主要因素。
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
依据《中国药典》（2010年版），用硫氰酸盐法检查铁盐杂质，通常要将供试品中的亚铁离子氧化成高铁离子再进行检查。铁盐检查中常用的酸为（）
杂质在硅中的扩散方式有哪些？
碱水驱注入清水或淡盐水的目的是清除油层中的含（）等高价离子的地层水。
半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
镀铬液中的氯离子是有害杂质，当它超过允许含量时，可以用硝酸银去除。
硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
依据《中国药典》（2010年版），用硫氰酸盐法检查铁盐杂质，通常要将供试品中的亚铁离子氧化成高铁离子再进行检查。硫氰酸盐法使用的氧化剂是（）
油类杂质能（）树脂微孔，使这些微孔中的（）不能进行离子交换作用，从而降低树脂的交换容量。
P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
绘图题：画出阳离子交换器失效时杂质离子在树脂层中的分布示意图。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。
依据《中国药典》（2010年版），用硫氰酸盐法检查铁盐杂质，通常要将供试品中的亚铁离子氧化成高铁离子再进行检查。硫氰酸盐法使用的氧化剂是A、硫酸
移动式压力容器介质中的杂质如水分、氯离子、氢离子、硫化氢应加以控制，因为会造成压力容器腐蚀。（）
生产易溶锰盐时硫化氢除去溶液中的Cu<sup>2+</sup>.Zn<sup>2+</sup>.Fe<sup>2+</sup>杂质离子，试通过计算说明，当MnS开始沉淀时，溶液中这些杂质离子的浓度（g.L<sup>-1</sup>)各为多少？
为除去 PbCrO 4 中的 SO 4 2- 杂质 , 每次用 100mL 去离子水洗涤,一次和三次洗涤后 PbCO 4 的损失分别是（）
离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低（）
