如图所示为具有方向特性的四边形阻抗继电器的动作特性图,简述四边形各边界的作用()。https://assets.asklib.com/images/image2/2017082915200965963.jpg
A . X边界:躲负荷;R边界:测量距离;D边界:判断方向
B . X边界:测量距离;R边界:躲负荷;D边界:判断方向
C . X边界:判断方向;R边界:躲负荷;D边界:测量距离
D . X边界:测量距离;R边界:判断方向;D边界:躲负荷
相似题目
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方向特性阻抗继电器实现简单,对过渡电阻的反应能力较强,但无方向性。
A . 正确
B . 错误
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图a所示电路的滤波特性如图b,由此可知,该电路具有()。https://assets.asklib.com/psource/2015103016430471934.jpg
A . 高通滤波特性
B . 低通滤波特性
C . 带通滤波特性
D . 带阻滤波特性
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具有多边形特性的阻抗继电器的组成有()。
A . 运动范围小于180度的功率方向继电器
B . 电抗型继电器
C . 电阻型继电器
D . 电容型继电器
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为保证正、反方向出口三相短路故障方向阻抗继电器有明确的方向性,当检测到三相电压同时很低时,在WXH—11微机线路保护中采取的措施是:方向元件采用%knalb%进行比相;四边形阻抗特性采用%knalb%的措施,与原有四边形阻抗特性构成%knalb%关系。
A .
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绘图题:已知全阻抗继电器的动作判据为:
https://assets.asklib.com/psource/2015052014551587755.png
请画出其动作特性图。
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全阻抗特性阻抗继电器的优点是动作有方向性,最宜作为距离保护的第Ⅰ段,但有电压死区,并有暂态超越现象。
A . 正确
B . 错误
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阻抗继电器的动作特性可以在阻抗图上表示,也可以在导纳图上表示。
A . 正确
B . 错误
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为了克服方向阻抗继电器存在()的缺陷,可采用偏移特性阻抗继电器,还可在方向阻抗继电器中采用插入电压的回路。
A . 电流死区
B . 电抗死区
C . 电压死区
D . 相位死区
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如下图所示为单侧电源辐射型电网中过流保护的配置,1、2、3为过流保护装置,请绘出保护装置的动作时限特性,并说明如何满足保护的选择性。https://assets.asklib.com/psource/2014102917562575712.png
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偏移特性的阻抗继电器的动作阻抗位于1相限和()相限。
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四边形特性距离继电器由一个电抗(X特性)元件、一个电阻元件(R特性)、一个方向元件(D特性)构成。电抗元件的作用是测量距离,电阻元件作用是用来躲负荷。这两个元件均为直线。方向元件这是判别方向,一般为折线。
A . 正确
B . 错误
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单相阻抗继电器采用四边形特性不仅可以提高对过渡电阻的过渡能力,而且也减小了静态超越动作的可能性。
A . 正确
B . 错误
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距离保护是本线路正方向故障和与本线路串联的下一条线路上故障的保护,它具有明显的方向性。因此,即使作为距离保护Ⅲ段的测量元件,也不能用具有偏移特性的阻抗继电器。
A . 正确
B . 错误
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试比较方向阻抗继电器、偏移特性阻抗继电器、全阻抗继电器在构成原则上有什么区别?
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全阻抗继电器的动作特性反映在阻抗平面上的阻抗圆的半径,它代表的全阻抗继电器的整定阻抗。
A . 正确
B . 错误
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制图题:画出(全阻抗)继电器特性图(Z′=Z″)。
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全阻抗继电器的动作特性反映在阻抗平面是一个()的园。
A . 园心位于原点
B . 园心位于第一象
C . 园心位于第二象限
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方向阻抗继电器的特性是以整定阻抗ZZd为直径而通过()的一个圆。
A . 座标
B . 实轴(R轴)
C . 座标原点
D . 虚轴(jx轴)
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图NP1-23所示为工作在2~30MHz频段上、输出功率为50W的反相功率合成电路,试指出各传输线变压器功能及T<sub>r1</sub>-T<sub>r5</sub>传输线变压器的特性阻抗,并估算功率晶体管输入阻抗和集电极等效负载阻抗。图中<sub>L</sub>1,L<sub>2</sub>的作用不予考虑。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-02-24/983009390029571.png' />
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方向阻抗继电器的特性是以整定阻抗Zzd为直径,通过()的一个圆
A.坐标
B.实轴(R轴)
C.坐标原点
D.虚轴(jx轴)
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如图5-47所示为0型单位反馈系统的开环幅相频率特性(图中带箭头的曲线),求该系统的阻尼比g和自
如图5-47所示为0型单位反馈系统的开环幅相频率特性(图中带箭头的曲线),求该系统的阻尼比g和自然振荡角频率ω<sub>n</sub>。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-01-12/979314791137116.png' />
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阻抗继电器的动作特性在R轴上所占的面积越大,抗过度电阻的能力越强。()
是
否
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图NP1-6(b)所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,,由它接成的放大器如图NP1-6(a)所示,已
图NP1-6(b)所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,,由它接成的放大器如图NP1-6(a)所示,已知V<sub>CC</sub>=5V,试求下列条件下的PL,PD,ηc(运用图解法):(1)R<sub>L</sub>=10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)R<sub>L</sub>=5Ω,I<sub>BQ</sub>同(1)值,I<sub>CM</sub>=I<sub>CQ</sub>;(3)R<sub>L</sub>=5Ω,Q点在负载线中点,激励同(1)值;(4)R<sub>L</sub>=5Ω,Q点在负载线中点,充分激励。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-02-24/983008926396053.png' />
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图NT1-1(a)所示为变压器耦合甲类功率放大电路,图NT1-1(b)所示为功率管的理想化输出特性曲线。已
图NT1-1(a)所示为变压器耦合甲类功率放大电路,图NT1-1(b)所示为功率管的理想化输出特性曲线。已知R<sub>L</sub>=8Ω,设变压器是理想的,RE上的直流压降可忽略,试运用图解法:(1)V<sub>cc</sub>=15V,R'<sub>L</sub>=50Ω,在负载匹配时,求相应的n、P<sub>Lmax</sub>,η<sub>c</sub>;(2)保持(1)中V<sub>cc</sub>,I<sub>bm</sub>不变,将I<sub>cQ</sub>增加一倍,求PL值;(3)保持(1)中I<sub>CQ</sub>,R'<sub>L</sub>,I<sub>bm</sub>不变,将V<sub>cc</sub>增加一倍,求P<sub>L</sub>值;(4)在(3)条件中,将I<sub>bm</sub>增加一倍,试分析工作状态。
<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2021-02-24/983001625717478.png' />