二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。
晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。
场效应晶体管源极输出器类似于共集电极电路。
晶体管具有放大作用时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加上正向电压，集电结加反向电压。
当晶体三极管的集电结加反向电压，发射结加正向电压时，三极管处于（）状态。
若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）
在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（）。
晶体管工作在放大区时，集电结处于（）。
如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。
为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。
晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）
在晶体管放大电路中，当集电极电流增大时，晶体管将发生（）
晶体管放大电路直流工作点指的是：基极电流IB、集电极电流 IC和电流放大系数β。
晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）
晶体管处于截止状态的特征是：发射结反向偏置，集电结（)偏置。
晶体管工作在放大区时，发射结（）向偏置，集电结（）向偏置。
当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）
晶体管处于饱和状态的特征是：发射结正向偏置，集电结（)偏置。
晶体管处于放大状态的特征是：发射结正向偏置，集电结（)偏置。
