制作整流器和集成电路需要在半导体中掺入杂质。
碳毒钢是指含碳量小于2.11%，并含有少量P、S、Mn、Si等杂质元素的（）。
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
碳钢中除含有Fe、C元素外，还有少量的Si、（）、S、P等杂质。
钢中Si和P杂质元素对钢的性能的影响是（）
光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
钢材中含有C、P、N、S、O、Cu、Si、Mn、V等元素,其中（）为有害的杂质元素。
在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。
掺入杂质原子除形成非整比化合物外，还常常形成结构缺陷。
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
钢中最常见的杂质元素有S、Mn、Si、P等，其中S和Mn是有益元素。
铁水中Si、S、P的降低是近年转炉炼钢主原料条件改善的重要标志。
钢中最常见的杂质元素有S、Mn、Si、P等，其中（）是有益元素。
在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
一般情况下，钢中的杂质Si、Mn是有益元素，S和P是有害元素。
5.在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成 。
在纯净半导体中掺入微量五价元素P，可形成（）。（晶体管）
（）C、Si为同一主族的元素，CO 2 和SiO 2 化学式相似，但结构和性质有很大不同。CO 2 中C与O原子间形成σ键和 π键，SiO 2 中Si与O原子间不形成上述π键。从原子半径大小的角度分析，为何C、O原子间能形成，而Si、O 原子间不能形成上述π键。____________
四价硅（Si）元素半导体中掺入五价砷（AS）所形成的半导体叫本征半导体。
p型半导体指在四价元素Si、Ge等中掺入少量三价元素B.Al、SC.Y（）
5、在本征半导体中掺入5价元素，形成P型半导体
