击穿强度度、介损tgδ小的绝缘油，体积绝缘电阻也一定小。
在“预规DL/T 5961996”中，对（）等绝缘，因为缺陷的集中性及体积大，通常不做tgδ测试。而对互感器、套管、电容器等则要做tgδ测试。
采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
一台DW8—35型断路器，其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%；落下油桶时，为6.7%；去掉灭弧室时，为5.7%。这说明该套管的绝缘是良好的。
电气绝缘的性能可通过测量其绝缘电阻、耐压强度、泄漏电流和（）等参数来衡量。
用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。
一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。
测得220kV电流互感器主电容量为1000PF，介损tgδ值为0.6%，在1.15倍的额定电压下，介质的功率P约为（）。
对一台LCWD2-110电流互感器，根据其主绝缘的绝缘电阻10000Ω、tgδ值为0.33%；末屏对地绝缘电阻60MΩ、tgδ值为16.3%，给出了各种诊断意见，其中（）项是错误的。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()
分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）。
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。
用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
电流互感器一次绕组绝缘电阻低于前次测量值的（）及以下，或tgδ大于规定值时应干燥处理。
电缆的绝缘层要求具有以下性能：较高的工频、脉冲击穿强度，低的介质损耗角正切值（tgδ），____的绝缘电阻，优良的耐树枝放电与局部放电性能，具有一定的柔软性和机械强度，且绝缘性能要长期稳定。
