收录机的变容二极管的等效电容与外加反偏电压成（）关系
对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）
当三极管集电结反偏，发射结也反偏时，集电极电流将（）。
晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
工作于反偏状态的二极管是（）
当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于（）。
反偏
对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。
晶体管工作在饱和状态时，发射结反偏。（ ）
二极管正偏时应重点关注，反偏时应重点关注。
放大电路应遵循的基本原则是:( ) 结正偏;( )结反偏。
三极管发射结反偏,集电结反偏,说明三极管处于放大状态。（)
晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）
当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于（)。
4.PN结正偏时电阻（），反偏时电阻（）。
GTO的门极驱动电路包括开通电路、关断电路、反偏电路。（)
3.处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结正偏
晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
放大电路应遵循的基本原则是：（)结正偏;（)结反偏。
当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）
5、理想二极管在正偏和反偏时，分别等效于：
二极管正偏一定导通,反偏一定截止（）
三极管放大作用的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。（)
2、在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。
