迪克斯公式中,ton表示的是第n层介质的垂直反射时间.
在含量为n的二项分布中，Q（x）表示的含义是（）
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而缩短。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。
计算题：求折射角为37°斜探头在钢中的近场区长度。（已知λ=1.6mm、α=30°、晶片尺寸为10mm×13mm）。
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
2.5P14Z直探头在钢中的近场长度是：（）
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
斜探头K值的测定应在（）近场区以外进行。
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
正态分布完全由μ和σ两个参数确定，我们用N（μ，σ2）表示（）为μ，（）为σ2的正态分布。
正态分布N（μ2，σ2）中，参数µ的物理意义表示正态分布的（）。
当晶片直径D远大于波长时，近场长度N=（）。
直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：（）。
计算题：计算14×16mm方晶片制作的频率为2.5MHzK1斜探头在钢中的近场区长度（钢Cl=3230m/s）。
计算题：计算2.5P20Z直探头在钢中的近场长度N和指向角。（λ＝2.36mm）
饱和度指数n与流体在孔隙中的分布状况有关，一般取值范围为（），常取n=2。
11、计数一次抽样方案用（n， Ac）表示，其中n表示样本量，Ac表示接收数，用（n， Ac）对一批产品进行抽样检验，当固定Ac时，n越大其要求越（）。
处于平衡状态的理想气体，其分子的速率分布曲线如图12.1，设υP表示最概然速率，△NP／N表示速率分布
在折射率n=1.50的玻璃上，镀上nˊ=1.35 的透明介质薄膜，入射光波垂直于介质膜表面照射，观察反射光的干涉。发现对λ1=600nm 的光波干涉相消，对λ2=700nm的光波干涉加强。且在600nm ~700nm之间没有别的波长是最大限度相消或加强的情形。求所镀介质膜的厚度。（计算结果用nm表示，保留到小数点后一位）
介质的折射率表示介质的传光能力，某一介质的折射率n等于光在真空中的传播速度c与（)之比。
正态分布完全由μ和σ两个参数确定，我们用N（μ，σ2）表示（）...
3、slope（1, n）表示小斜坡的斜率为1并且它的斜面相对于游戏中的玩家朝向北边。
