在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
工频高电压通常采用高压试验变压器来产生。对电容量较大的被试品，可以采用（）产生高电压。
测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时，如试品周围近距离内有大面积接地物体（墙壁、构架、栅栏等），通过（）耦合，会影响测量结果的真实性；对大电感试品，应将线圈首尾（），以消除电感、电容对测量准确度的影响。
在交流耐压试验中，存在着试验变压器和被试品电容的串联谐振过电压问题，这是由于试验变压器漏抗和被试品电容引起的。
对于大电容量设备应缓慢升压，防止被试品的充电电流烧坏微安表。必要时应分级加压，分别读取各级电压下微安表的稳定读数。（）
试品电容量约为15000pf，当用10kvqs1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在()档
具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行（）。
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
调频式谐振系统主要是通过改变试验电源的输出频率，使回路中固定电感量的电抗器与被试品电容发生谐振（）。
分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
测试电容量较大的被试品的绝缘电阻时如何防止被试品反放电烧坏兆欧表？为什么要对被试品充分放电？
交流耐压试验时，当采用电压互感器或电容分压器测量高压时，被试品击穿后其电流表指示会突然（）。
用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。（)
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
对于电容量较大的试品（例如套管、互感器等），测量tan δ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较小的试品（例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等）测量tanδ只能发现整体分布性缺陷。
规程规定电力设备的tanδ试验应在良好的天气、试品及环境温度不低于+5oC的条件进行。
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）
M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S（）
