用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于"+"，集电极扫描电压极性开关应置于"-"。
在摘机状态，电压升高，使晶体管饱和导通下集电极电压为（）时，允许键主输入。
用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于“+”，集电极扫描电压极性应置于“-”。
单结晶体管导通后，其发射极电流小于谷点电流时，就会恢复截止。
共发射极晶体管交流放大电路的饱和失真和截止失真是指输出电压波形的（）发生畸变。
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。
已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，U=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。 求（1）导通角θ； （2）输出电压振幅值Ucm
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于“+”，集电极扫描电压极性开关应置于“-”。
单结晶体管在什么情况下导通，导通后又在什么情况下截止？
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是仉=4．7v，以=4V，阢=4．3V，则该三极管处于（）状态。
晶体管非门电路如图所示，已知U cc ＝15V，U B ＝－9V，R c ＝3kΩ，R B ＝20kΩ，β＝40，当输入电压U1＝5V时，要使晶体管饱和导通，R x 的值不得大于（）kΩ。（设U BE ＝0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压U ces ＝0.3V） https://assets.asklib.com/psource/2016071816380514825.jpg
晶体管导通期间所对应的角度称为（），它的值越大，负载上的输出电压越高。
NPN型晶体管构成的共射电路，当输入单频正弦信号时，输出波形顶部失真，则该失真为（）。
（）由发光二极管和光敏晶体管组成，当在发光二极管二端加正向电压时，发光二极管点亮，照射光敏晶体管使之导通，产生输出信号。
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是Ub＝4.7V，Ue＝4V，UC、＝4.3V，则该三极管处于（）状态。
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是Ub=4．7V，Ue=4V，Uc=4．3V，则该三极管处于（）状态。
集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A
PNP和NPN型晶体三极管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而巳（）
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是U＝4.7V，U.＝4V，U＝4.3V，则该三极管处于状态（）
用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时，基极阶梯信号的极性开关应置于“+”，集电极扫描电压极性开关应置于“-”（）
