二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
三极管中，硅管的结构主要是（）。
晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。
硅整流器中每个二极管在一个周期内连续导通的时间为（）。
从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
三相桥式整流中，每个二极管导通的时间是（）周期。
稳压二极管正常工作时，其工作点在伏安特性曲线的导通区内。（）
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为40° ~ 60°。
硅整流器中每个二极管在一个周期的连续导通的时间为（）。
手机的二极管均是（）的黑色的硅管。
不导通的二极管可以认为其不存在
二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
2、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
普通二极管导通的条件是（）。
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）
1、测量电阻的伏安特性、发光二极管的正反向伏安特性和稳压管的正反向伏安特性。 整理实验数据,根据实验数据在u-i坐标系下画出电阻、发光二极管、稳压管的伏安特性曲线。 根据实验数据结果总结元件的特性。 思考：如何用万用表判断稳压管的极性及好坏；测量二极管的伏安特性时，正向伏安特性电路图与反向伏安特性电路图的不同在哪里，为什么？稳压管的稳压功能是利用伏安特性曲线的哪一部分，为什么？ 撰写实验报告。
39、三极管的伏安特性是线性的，所以放大电路可等效为线性电路。
5、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
