完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
“一向延伸”是指矿物的（）形态，众多晶体生长在一个基座上，各晶体大致沿着相似的方向排列、生长，形成基部相连、末端分离的晶体簇叫（）。象黑钨矿中的铁和钨离子可以相互置换的现象叫（）。
光纤材料中含重金属离子和氢氧根离子等杂质，对光信号的吸收而产生的损耗称为瑞利散射。
钢锭的偏析就是钢锭内部各部分化学成份和杂质分布不均匀的现象。
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
金属由液态转变为晶体的现象称为（）。
蒸汽中的杂质含量超过规定标准的现象，称为（）。
在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
我们通常把蒸汽中的杂质含量超过规定标准的现象，称为（）。
晶体是内部原子或离子在三维空间呈（）平移重复排列的固体。
晶体是指内部的原子或离子在三维空间呈周期性重复排列的固体。
沉淀析出后，在沉淀与母液一起放置的过程中，溶液中本来难于析出的杂质离子可能沉淀到原沉淀表面上的现象称为（）现象。
构成晶体的微观粒子（分子、原子或离子）按一定的几何规则排列，由此形成的最小单元称为（）。
由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。
离子交换树脂在使用过程中，由于有害杂质的浸入，使树脂的性能明显变坏的现象，称为树脂的（）。
点蚀是金属材料处于含氯离子较高的酸性介质溶液中，由于材料本身与其内部所含沉淀的杂质之间的电位差而形成的（）腐蚀。
在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。
晶体是内部原子或离子在三维空间呈周期性平移重复排列的固体。
金属内部的晶格位向完全一致的晶体称为单晶体（）
晶体结构中，每个原子或离子周围与它直接相邻的原子或异号离子的数目称为——。
晶体在生长过程中各种偏离晶体构造中质点周期性重复排列的现象被称为组成缺陷。（)
晶体结构中某种原子或离子被其他类似的质点所代替，使得晶格常数发生不大的变化而结构形式不变的现象称为_________，对其产生影响的因素主要有温度，压力，原子和离子半径，_________等。
35、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。
65、5. 内部质点（原子、离子或分子）在三维空间呈周期重复排列的固体。也可以形象地说，晶体是具有 的固体。
