假设R1=0x31，R2=0x2则执行指令ADDR0，R1，R2LSL#3后，R0的值是（）
已知R1=5Ω，R2=10Ω，把R1、R2串联后接入220V电源，R1上的分压应为（）。
已知ARM处理器R1＝0x12345678，R2=0xFF008899，则执行指令ANDR0，R1，R2后，寄存器R0＝（），R1＝（）。
已知R1=5、R2=10，把R1和R2串联后接入220伏电源，R1上的分压应为（）。
已知R1=2Ω，R2=5Ω，如将R1和R2并联后的电阻是（）。
R1和R2为串联两电阻，已知R1＝5R2，若R1上消耗功率为1W，则R2上消耗功率为（）。
电阻R1和R2串联，已知R2=4R1，若R2两端电压U2=16V，则R1两端电压（）。
已知R1=0x20000000，R0=0x55667788，在大端模式下执行ARM指令STRR0，[R1]之后，0x20000003中的值为（）。
R1和R2为两个串联电阻，已知R1=4R2，若R1上消耗的功率为1W，则R2上消耗功率为（）。
已知电路中R1、R2并联，（R1=2Ω，R2=6Ω），试求电路的总电阻？
ARM处理器如果R1＝0x98001200，已知在小端模式下，内存0x98001204中存放数据0x35，0x98001205中存放数据0x36，0x98001206中存放数据0x37，0x98001207中存放数据0x38，在指令LDRR0，[R1，#4]执行后，R0中的值为（）。
在小端模式下，通过ARM伪指令MyData DCW 0x1122，0x3344，0x5566，0x7788在内存中定义了4个16位操作数，则在伪指令LDR R1，=MyData后执行指令LDR R0，[R1，#4]，则R0的值为（）。
ARM处理器如果R1＝0x00000080，则指令MOVR0，R1，LSL#2执行后，R0的值为（）。
已知R1=5Ω，R2=10Ω，把R1和R2串联后接入220V电源，R1上的分压应为（）。
已知内存单元0x60000000~0x60000003以小端模式存放一个32位数据0x32303134，R1=0x60000000，R0=0，执行ARM指令LDRHR0，[R1]之后，R0的值为（）。
已知R1=3Ω，R2=6Ω并联，若R1上电压为3V，则，R2上的电压为（）
已知R1＝0xFF115577,R2=0x11000011，则执行指令于ORR R0,R1,R2后，寄存器R0＝___【11】____，R2＝___【12】已知R1＝0xFF115577,R2=0x11000011，则执行指令于ORR R0,R1,R2后，寄存器R0＝___【11】____，R2＝___【12】____。
两个电阻R1和R2组成串联电路，已知R1：R2=1：2.则下列说法正确的是()
ARM处理器如果R1＝0x98001200，已知在小端模式下，内存0x98001204中存放数据0x35，0x98001205中存放数据0x36，0x98001206中存放数据0x37，0x98001207中存放数据0x38，在指令LDRR0，[R1，4]执行后，R0中的值为（）。
如果已知r1=-0.7，r2=0.7，那么r1和r2代表的相关程度相同。
假设R1=0x31，R2=0x2则执行指令ADDR0，R1，R2，LSL2后，R0的值是()。
程序aa.S代码如下,下面描述正确的是（） .text .global _start _start: mov r1,r2 mov r2,r3 mov r3,r1 ldr r4,[r1] ldr r5,=0x12345678 .end mov r6,r2
R1和R2为两个串联电阻，已知R1=4R2,若R1上消耗的功率为1W,则R2上的功率为（）
9、电阻R1和R2并联接在电路中，已知R1：R2=1：3，若R1中电流为0.6A，则R2中电流为 A。
