N型杂质半导体中，多数载流子是（）
1936~1939年，日本猩红热A群链球菌中以4型为主，1956~1957年以6型为主，1964年又以4型为主，1967年以后以12型为主，该病的变化称为（）
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。
不含杂质的半导体称为P型半导体
在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体。
20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。
P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么
3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
杂质半导体分为()型和()型
对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.
【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么？
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
杂质半导体可分为______型半导体和______型半导体。
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
3、p型半导体的主要导带机制是（）
P型半导体导电是以（）导电为主
