光纤的接续损耗主要包括：光纤本征因素造成的（）和非本征因素造成的（）及（）三种。
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
由于本征半导体比杂质半导体纯净，所以，它的导电能力比杂质半导体强得多。
光纤的损耗包括本征损耗和非本征损耗，其中对本征损耗影响较大的是（）。
本征扩散与非本征扩散
当工作波长为0.85um时，掺GeO2杂质的光纤，本征吸收中的（）对其通信影响较大。
离子晶体中的电导主要为离子电导。可以分为两类：（）和（）。在高温下本征电导特别显著，在低温下（）电导最为显著。
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
什么是本征半导体和杂质半导体？
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。
半导体本征吸收与本征光电导
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体。
光纤的接续损耗主要包括：光纤本征因素造成的固有损耗和非本征因素造成的熔接损耗及活动接头损耗三种。（)
4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
5.在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成 。
当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
ZnO晶体中，以下那种缺陷是本征缺陷？
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
12、晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制
5、小麦在干早时如萎蔫4小时，可引起气孔关闭，其脱落酸含量可增加40倍，并以不活泼的形式贮存于叶片中，当水分供应充足时，又可恢复到正常水平，说明脱落酸的效力是可逆的。这属于（）。
4、（单选）在可视为理想气体的二元气相混合物中进行单向扩散时，若惰性组分含量减少而其它条件不变，则另一组分的传质速率（）*
