从图像信号形成过程看，非晶硅与非晶硒平板探测器比较（）

A . 硒鼓检测器 B . IP成像转换器 C . 直接转换平板探测器 D . 间接转换平板探测器 E . 多丝正比室检测器

A . TFT B . a-Se C . CsI D . A/D转换器 E . 储能电容

A . TFT B . a-Se C . CsI D . A／D转换器 E . 储能电容

A . 正确 B . 错误

A . 荧光 B . 光电子 C . 负离子 D . 正离子 E . 电子－空穴对

A . 可见光 B . 电子空穴对 C . 荧光 D . 正电子 E . 低能X射线

A . 使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷 B . 典型材料为非晶硒（a-SE. C . 每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元 D . 非晶硒层直接将X线转换成电信号 E . 与非晶硅探测器的工作原理相同

A . A.硒鼓检测器 B . B.IP成像转化器 C . C.直接转化平板探测器 D . D.间接转化平板探测器 E . E.多丝正比室检测器

A . 碘化铯构成的闪烁体层 B . CCD层 C . 信号读出电路 D . 石英玻璃衬体 E . 非晶硅薄膜晶体管阵列层

A . A、大变形 B . B、细颈化 C . C、应变硬化

A . 热能 B . 光热发电 C . 电磁辐射 D . 光伏发电

A . X线影像转换成数字影像的过程中，没有可见光的产生 B . 硒层的主要作用是接收X线的照射，产生电子一空穴对 C . 在该平板探测器中，薄膜晶体管（TFT）起开关作用，每个TFT控制一个影像像素 D . TFT像素尺寸的大小，直接决定图像的分辨率 E . 在平板探测器扫描电路未清除硒层中的潜影和电容上的电荷时，可以继续使用

A . 该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B . 同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C . 与非晶态硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D . 它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E . 以上说法都正确

A . A、信号读出 B . B、信号放大 C . C、A/D转换 D . D、信号输出 E . E、探测元阵列层

A . X线光子→闪烁晶体→可见光→非晶硅光电二极管阵列→电信号→逐行取出，量化为数字信号→X线数字图像 B . X线光子→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→电信号→逐行取出，量化为数字信号→X线数字图像 C . X线光子→非晶硅光电二极管阵列→可见光→闪烁晶体→电信号→逐行取出，量化为数字信号→X线数字图像 D . X线光子→可见光→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→电信号→逐行取出，量化为数字信号→X线数字图像 E . X线光子→电信号→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→逐行取出，量化为数字信号→X线数字图像

A．荧光 B．电子空穴对 C．俄歇电子 D．散射光子

A．碘化铯闪烁体 CsI scintillation B．开关二极管 Switching diode C．光电二极管 photodiode D．电容器 capacitor

A．A.SiH4加BH3 B．B.PH3加BH3 C．C.SiH4加B2H6 D．D.SiH4加PH3

A.该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B.同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C.与非晶硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D.它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E.以上说法都正确

A．50%—70% B．70%～80% C．50%～80% D．80%～90% E．90%以上