兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是（）
突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。()
突触前抑制的特征是突触后膜（）
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
突触前膜与突触后膜之间的间隙大约是（）
突触前膜与突触后膜之间的间隙大约是（）.
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
对突触后膜α受体的阻断作用远大于阻断突触前膜α受体的药物是（）。
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）
神经丝：（）。电突触是：（）。突触前膜和突触后膜是：（）。
突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？
抑制性突触后电位是指突触后膜发生局部去极化。
抑制性递质与突触后膜受体结合，引起突触后膜
突触后抑制的产生是由于突触后膜
突触前、后成分彼此相对的细胞膜分别称为突触前膜和突触后膜。
突触后膜产生兴奋性突触后电位时，膜电位的特征是（）
发生抑制性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性升高( )
典型的突触结构主要由突触前膜、突触间隙和突触后膜组成。（)
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）
突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）
