在半径R=1cm的“无限长”半圆柱形金属薄片中，有电流I=5A自下而上地通过，如题11-10图所示。试求圆柱轴线上一点P处的磁感应强度。

半径为a的无限长导体圆柱单位长度的内自感应为（）H。

置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）

在弯曲过程中，当材料厚度一定时，弯曲半径r越小，则材料外层金属所受拉应力（）。

观察牛顿环装置中的平凸透镜换成半径很大的半圆柱面透镜，用单色光垂直照射半圆柱面的平凸透镜时，观察到的干涉条纹的特点是（）

两个无限长的共轭圆柱面上均带正电，内外半径分别为R1和R2,沿轴线方向单位长度所带电荷分别为λ1，λ2则量圆柱面之间，距离轴线为r的P点处的场强的大小E为 （）。

应用安培环路定律 https://assets.asklib.com/psource/2015110413493285796.png 对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算，计算结果应为：（）

在半径为R的无限长圆柱区间均匀分布着电荷体密度为p的体电荷，周围填充介电常数为ε的电介质，在圆柱区间外（r>R）的某一点的电场强度应为（）。

应用安培环路定律∮LHdL=∑I，半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出（）。

应用安培环路定律φHdl=∑I，对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（）

无限长载流空心圆柱导体的内，外半径分别为a、b，电流再导体截面上均匀分布，则空间各处的B大小与场点到圆柱中心轴线的距离r的关系是随着r的增大逐渐减小的。（）

相对磁导率为 的无限长磁介应圆柱体。半径为R1,其中通有电流I,且电流沿横截面均勾分布。在磁介

半径为R₁和R₂（R₁R₂)的两无限长同轴圆柱面，单位长度分别带有电量λ和-λ，试求：（1)r＜R₁;（2)R₁＜r＜R₂;（3)r＞R₂处各点的场强。

如题2-21图所示，两个带有等量异号电荷的无限长同轴圆柱面，半径分别为R₁和R₂＞R₁)，单长度上的电荷为λ。求离轴线为r处的电场强度：(1)r＜ R₁，(2)R₁＜ r＜ R₂，(3)r＞R₂。

半径为R的圆柱形无限长载流直导线置于均匀无限大磁介质之中，若导线中流过的恒定电流为I，磁介质的相对磁导率为μ_r（μ_r＜1)，则磁介质内磁场强度的大小为（)。

半径为R的“无限长"的均匀带电直四柱体,其电荷体密度为p,试求圆柱体内和圆柱体外任一点的电场强度，解关于电场分布的特征和取恰当的高斯面以及高斯定理右边通过高斯面的电场强度通量的数学表达式与题7.17同.

如题图9.8所示,一通以电流强度为I的无限长金属片，宽为L.试求距薄片平面一侧距离为a处P点的磁感应强度B.

两个同轴的圆柱,长度都是l,半径分别为a及b,这两个圆柱带有等值异号电荷Q,两圆柱之间充满电容率为ε的电介质. （1)在半径为（a<r

一具有均匀内热源q'W／m³,端部绝热的圆柱体，其表面温度保持不变为twK。圆柱的半径是r=R。仅在半径方向有热流。假定圆柱的导热系数是常数，推导稳态时温度分布方程。

一半径为R的无限长金属圆柱通以沿其横截面均匀分布的电流I，求柱体内外的磁感应强度。

半径为R的圆柱形无限长载流直导体置于均匀无限大磁介质之中，若导体中流过的恒定电流为I，磁介质的相对磁导率μ_r（μ＜1)，则磁介质内的磁化强度为（)

均质圆柱体重为P、半径为r,，在半径为R的圆柱形槽内做纯滚，如图所示。求圆柱体在槽内最低位置附近做微小滚动的周期。

在一个圆柱形电容器中，置有两层同轴的圆柱体，其内导体的半径为2cm，外导体的内半径为8cm，内外两绝缘层的厚度分别为2cm和4cm，内外导体间的电压为150V（以外导体为电位参考点）。设有一根薄的金属圆柱片放在两层绝缘体之间，为了使两层绝缘体内的最大场强相等，金属圆柱片的电位应为（）

“无限长”的同轴圆柱与圆筒均匀带电，圆柱的半径为R1,其电荷体密度为ρ1 ,圆筒的内外半径分别为R2和R3（R1<r2<r3),其电荷体密度为p2。（1) 试求空间任一点的电场强度.（2) 若当r>R3区域中的电场强度为零,则P1与p2应有什么样的关系？

一半径为R，长为l的圆柱形薄片，其上电荷均匀分布，电量为q。试求在其轴线上与近端距离为h处的电场强度，并讨论当R→0时，其结果如何？