晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
半导体二极管有3个特性，它们是正向特性，反向特性，反向击穿特性
稳压二极管是利用PN结，反向击穿的特性，运用特殊的工艺方法制成的。
利用半导体二极管的单向导电特性，可以组成整流电路。
硅稳压二极管是利用它的反向击穿性来进行稳压的。
二极管一般在正向电压下工作，稳压二极管则在反向击穿状态下工作。
稳压二极管工作于反向击穿状态时，在电路中能起（）作用。
硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
硅稳压管是利用二极管的反向击穿特性制成的。（）
硅稳压管与普通二极管一样，当反向电压达到击穿电压时，将击穿损坏。
当反向电压达到某一电压时，稳压二极管反向击穿导通，电流急剧增加，两端电压（）。
与普通二极管相比，稳压二极管的反向击穿电压（）.
稳压二极管的稳压作用是利用其（）特性，故稳压二极管在电路中必须反向连接。
稳压二极管工作在一定的反向电压下不会被击穿损坏。（）
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
在稳压电路中，稳压二极管工作在反向击穿状态
稳压二极管工作于反向击穿区，在该区内，稳压管的电流在很大范围内变化，稳定电压却基本不变。（)
稳压二极管与一般二极管不一样，它的反向击穿是的（）
稳压二极管不能工作在反向击穿状态。（)
稳压二极管是利用了其反向击穿特性
1、稳压管与二极管一样反向击穿后具有不可恢复性。
1、测量电阻的伏安特性、发光二极管的正反向伏安特性和稳压管的正反向伏安特性。 整理实验数据,根据实验数据在u-i坐标系下画出电阻、发光二极管、稳压管的伏安特性曲线。 根据实验数据结果总结元件的特性。 思考：如何用万用表判断稳压管的极性及好坏；测量二极管的伏安特性时，正向伏安特性电路图与反向伏安特性电路图的不同在哪里，为什么？稳压管的稳压功能是利用伏安特性曲线的哪一部分，为什么？ 撰写实验报告。
