在N型材料的PN结光伏效应中，光生电动势与内建电场的方向（）。
一单相电焊机，已知铭牌数据为Pn=10kW，εn=60％，Un=380V。求电焊机的设备容量P。
PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（），势垒加高。
对于概率矩阵P，当n→∞时，Pn称之为P的（）
PN结正向导通时,其内外电场方向一致。
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
在达到动态平衡的PN结内、漂移运动和扩散运动不再进行。（）
晶闸管有P、N、P、N四层结构，（）PN结。
对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。
PN结可看成一个电容、空间电荷区域相当于介质、P区和N区则为导体。（）
在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。
绘图题：图E-5所示是二极管结构图，当外施电压N区为（＋），P区为（－）时请标明内电场、外电场的方向？空间电荷区是变宽还是变窄？https://assets.asklib.com/psource/2015051609091522984.jpg
N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。
pn结中内建电场导致的电子和空穴漂移电流方向是一致的，但二者的扩散电流方向相反。
PN结可看成一个电容，空间电荷区域相当于介质，P区和N区则为导体。()此题为判断题(对，错)。
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
PN结可以看成一个电容，空间电荷区域相当于介质，P区和N区则为导体（）
半导体的导电特性及PN结在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体（）
将PN结两端加正向电压时，在PN结内参与导电的载流子是（)。
PN结空间电荷区又称为__，在平衡条件下电性呈__，P区侧应带__，N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
