将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。
PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（），势垒加高。
二极管两端加反向电压时，PN结的空间电荷区（）。
当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）
当晶体三极管的集电结加反向电压，发射结加正向电压时，三极管处于（）状态。
PN结加正向电压则：（）
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。
PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通
当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。
PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ），加反向电压时，空间电荷区将（ ）。
PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略
◑PN结加正向电压时，空间电荷区将()。◑A.变窄◑B.基本不变◑C.变宽◑D.无法确定
PN结加正向电压时 ,加反向电压时 ,这种特性称为PN结 特性
【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄，反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄（）
【判断题】PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略
PN结加反向电压时截止
1、PN结加正向电压时，其正向电流是由于（）
3、PN结加反向电压时截止
12、PN 结加正向电压时：
