P型半导体，N型半导体，PN结都具有单向导电性。
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
P型半导体的少数载流子是（）。
半导体PN结具有单向导电型。（）
P型半导体少数载流子是（）
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）
N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有（）导电性，其中N极接正，而P极接负的电压称为（）电压，此时PN结截止。
P型半导体主要依靠（________）载流子导电。
在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。
P型半导体中的多数载流子是______；少数载流子是______。
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
半导体的导电特性及PN结PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零（）
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
半导体的导电特性及PN结在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体（）
半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄（）
20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。
6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
