P型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷.
为什么光敏电阻多采用N型半导体？
怎样区分N型半导体和P型半导体（）
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。
硅正流元件是用半导体为主要材料做成的固体正流元件。
元件多采用双金属片，软磁性材料的风扇离合器属于（）。
因为P型半导体中空穴多于电子，因此P型半导体呈正电性。
P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）
P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
P型半导体是由半导体晶体材料中掺入（）而生成。
P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
半导体冷却器N型和P型半导体之间的导流片常采用（）。
P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。
掺P（磷）形成P型半导体
3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
n型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件，目前用的较多的半导体材料有锗、锑化铟、砷化铟。（)
半导体材料可分为P型半导体和N型半导体两种。（)
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
因材料温度系数的不同，由GaAs（砷化镓)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒流驱动方式;而由InSb（锑化铟)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒压驱动方式。（)
