高频调谐功率放大器中，晶体管的内部特性指的是（）时，晶体管的输出特性和转移特性。
高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结（）。
高频功率放大器失谐时，输出功率将减小，晶体管功耗将增大，效率将降低。
1.5KWSSB和400WSSB发射机A1A工作状态全功率输出、半功率调谐时，高频天调ATU-HF面板上输出功率表应（）。
高频谐振功率放大器的θ角在（）附近时，既能获得较大的输出功率又能具有较高的效率。
高频功率放大器为了获得高效率，常采用（）。
高频调谐功率放大器中，EC变化，被称为调谐功放的集电极调制特性。
高频调谐功率放大器中，随着Eb的增大，调谐功放工作状态经历欠压-过压-临界的变化。
高频调谐功率放大器电路中电源Ub的作用为（）。
高频调谐功率放大器中，为了兼顾输出功率和效率，θ的取值范围一般取（）。
高频调谐功率放大器中，EB变化，被称为调谐功放的基极调制特性。
高频调谐功率放大器中，Ubm变化，被称为调谐功放的基极调制特性。
在高频调谐功率放大器调试过程中，为保证晶体管能安全工作，往往将输出功率减小一半，试问在保持电源电压不变的情况下，采用（）输入信号的方法，将减小输出。
高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，随着θ变化，展开系数存在（）。
高频调谐功率放大器中，Ubm变化，被称为调谐功放的（）特性。
高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，θ越小，α1/α0越（）。
高频调谐功率放大器中，随着Rc的增大，调谐功放工作状态经历（）的变化。
高频调谐功率放大器中，RC变化，被称为调谐功放的（）特性。
高频调谐功率放大器中，RC变化，被称为调谐功放的集电极调制特性。
高频调谐功率放大器中，随着Eb的增大，调谐功放工作状态经历（）的变化。
高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，随着θ变化，展开系数存在最大值。
高频调谐功率放大器中，晶体管的外部特性指的是有载时，晶体管的输出特性和转移特性。
用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定E<sub>c</sub>=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算IC0，Ic1m和Rc。
用3DA4高频功率管装成放大器，测得fT=1MHz，β=20，额定输出功率Po=20W，晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导，要做成2MHz的谐振功率放大器，选定Ec=24V，θ=70°，Icmax=2.2A，α0（70°）=0.253，α1（70°）=0.436，并工作在临界状态。试计算P0，Ps，PC和ηc。
