在单相半波整流电路中，整流二极管的反向耐压必须大于（）。
直流高电压试验，高压硅堆上的反峰电压使用值（）硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
在单相半波整流时，若输入电压为U1，则整流后的直流输出电压为（）
PTD-I型电源屏试验耐压强度时，应将电阻、（）、晶体管及整流器元件的引线拆除后进行。
试验耐压强度时，应将电阻、电容、晶体管及整流器元件的引线拆除后进行。
在直流耐压试验的半波整流线路中最高试验电压不得超过其额定电压的（）倍。
挡控制角α相同时，带有电阻性负载的单相全波可控整流电路，其输出直流电压是单相半波可控整流的（）倍。
使用直流电流表测量半波整流电流时，半波整流电流的峰值为直流电流表读数的（）倍
使用半波整流电路进行避雷器的直流电导电流试验时，为了减小直流电压的脉动，需要在试品Cx上并联稳压电容C，其电容值采用下列电容值哪一较好（）
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。
直流高电压试验，在利用硅堆整流时当单个的电压不够，需要采取多只串联的办法时，采用并联均压电阻，其数值一般为硅堆反向电阻的（）。如按此值所选的电阻值过高而不易达到时，可适当减小为1000MΩ。
进行避雷器电导电流试验时，采用硅堆整流，正极或负极接试品的效果是一样的。
使用半波整流电路进行避雷器的直流电导电流试验时，为了减小直流电压的脉动，需在试品Cx上并联稳压电容C，其电容值采用下列电容值的哪一个较好（）。
采用半波整流电路进行避雷器的电导电流试验时，在试品上并联的滤波电容器的电容值选择越大越好。
进行直流耐压试验时，一般是将硅堆的负极接试品。
采用半波整流电路测量泄漏电流时，其稳压电容应有足够大的数值，当试验电压为30千伏时，现场常取的最小值为（）μF。
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
直流耐压试验，把交流电源通过高压器输入整流器，整流后可得到的是试验需要的直流电压。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。
单相桥式整流二极管的反向耐压值与半波整流二极管相同。
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。
做直流泄漏试验时，若以半波整流获得直流电压，如果不加滤波电容，分别用球隙和永磁式电压表进行测量，则以下结果正确的是（）。
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。
直流高压实验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上反峰电压使用值不能超过硅堆额定反峰电压，其额定整流电流应不不大于工作电流，并有一定裕度。（)
