场效应管的三个电极分别是（）、源极和栅极。
三极管的三个电极中基极用符号（）来表示。
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。
场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。
场效应管共漏极放大器（源极跟随器）的特点是（）
场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。
场效应晶体管源极输出器类似于共集电极电路。
场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；
场效应管的漏极用英文字母（）表示.
静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
共发射极晶体管放大器与共源极场效应管放大器相比，前者所允许的输入信号幅值将大于后者。
可控硅的三个极中，控制极用字母（）表示。
必须加栅极电压，漏极和源极才能导电的场效应管称为（）
结型场效应管的漏极d与源极s，和三极管的集电极c与发射极e一样，不可以互换端子。
共发射极晶体管放大器与共源极场效应管放大器相比，前者所允许的输入信号幅值将大于后者。此题为判断题(对，错)。
场效应管的图形符号中，S表示（）
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。
场效应管放大电路以下无法构成自给偏压电路的场效应管为（）
绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在（）区
绝缘栅场效应管工作原理场效应管是（）控制型器件
N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）
69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。
动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。
