关于DSA设备平板探测器的设计。其提高反映了平板探测器对X线的灵敏度优于影像增强器-摄像机系统的技术指标是（）。

A . 双能量减影 B . 组织均衡化 C . 体层合成 D . 时间减影 E . 骨密度测量

A . 薄膜晶体管技术 B . 光敏照相机技术 C . 光电倍增管技术 D . 光激励发光技术 E . 非晶硒技术

A . 薄膜晶体管技术 B . 光敏照相机技术 C . 光电倍增管技术 D . 光激励发光技术 E . 非晶硒技术

A . TFT B . a-Se C . CsI D . A/D转换器 E . 储能电容

A . TFT B . a-Se C . CsI D . A／D转换器 E . 储能电容

A . 有直接转换型和间接转换型 B . 其极限分辨率比屏／片系统低 C . 其MTF、比屏／片系统低 D . 其DQE比屏／片系统高 E . DQE比CR系统高

A . 使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷 B . 典型材料为非晶硒（a-SE. C . 每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元 D . 非晶硒层直接将X线转换成电信号 E . 与非晶硅探测器的工作原理相同

A . 具有每秒20帧以上的显像能力 B . 理想的光敏度，足够的亮度 C . 较高的分辨率和对比度 D . 最小失真度 E . 适应不同部位使用的可变输出视野和稳定的光路分配器

A . 碘化铯构成的闪烁体层 B . CCD层 C . 信号读出电路 D . 石英玻璃衬体 E . 非晶硅薄膜晶体管阵列层

A . 有直接转换型和间接转换型 B . 其极限分辨率比屏／片系统低 C . 其MTF比屏／片系统低 D . 其DQE比屏／片系统高 E . DQE比CR系统高

A . 量子转换效率高 B . 时间分辨率高 C . 空间分辨率高 D . 比CT密度分辨率高 E . 比I.I动态范围小

A . 密度分辨力 B . 时间分辨力 C . 空间分辨力 D . 量子转换效率 E . 动态范围

A . 该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B . 同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C . 与非晶态硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D . 它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E . 以上说法都正确

A . DR系统的量子检出率（DQE.性能比屏/片系统高一倍 B . 在相同剂量下，DR系统的影像质量（DQE.比屏/片系统可以提高50% C . 在相同影像质量下，DR系统的剂量与屏/片系统相比基本相同 D . DR系统的动态范围大，线性好 E . 采集速度快，可进行动态检查（30帧/秒）

A.该平板探测器在影像的转换过程中，没有可见光的产生 B.同样使用薄膜晶体管来接收电信号 C.与非晶硒型平板探测器最大的区别是在影像的转换中有可见光产生 D.它使用光电二极管来接收可见光信号，两个二极管相当于一个像素 E.以上说法都正确

A．它要求一定的环境温度和湿度，否则容易发生器件损坏的故障 B．应按设备使用要求定期进行“坏道”校正检验工作 C．DR设备开机时一定要保持环境的温度和湿度，停机后则影响不大 D．“坏道”校正检验的目的是防止出现点状或条状的白色伪影 E．“坏道”是指由于光电二极管矩阵中的“像素”损坏而不能有效地将X线入射光子转变为电子信号，从而在相应部位显示出白点，若多个相连的像素损坏，则形成白色线条。称这些白色的点或线为坏道

A．平板探测器是总称,可有多种类型 B．平板探测器是在薄膜晶体管阵列技术基础上开发的 C．间接转换平板探测器与CR一样,需有一个独立的读取装置 D．直接转换平板探测器是将X线信号直接转换为电信号 E．直接与间接平板探测器的主要区别在于荧光材料和探测元