下同能量的电子束，有效治疗深度（cm）约为电子束能量（MeV）的多少（）。
高能射线是能量在1Mev以上的X射线，采用直线加速器产生的高能X射线与一般X射线相比，具有（）等特点。
习惯上把能量在0.1MeV以上的中子叫做（）
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。这种条件下产生的X线的叙述，正确的是（）
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是（）
电子对效应只能产生在入射光子能量低于1.022MeV的情况下
不同能量的电子束，有效治疗深度（cm）为电子束能量MeV的（）
高能射线是能量在（）兆电子伏特以上的X射线，采用直线加速器产生的高能X射线与一般X射线相比，它具有（）、（）、（）等特点。
电子加速器的能量大于（）Mev会产生中子，在辐射屏蔽设计时，要考虑中子的影响。
只有入射光子能量＞1.02MeV时，才能发生电子对效应。
双机架角多野技术在治疗部位的电子束平均能量为（）Mev。
高能射线是能量在1兆电子伏特以上的X射线，采用直线加速器产生的高能X射线与一般X射线相比，它具有（）等特点。
要产生0.35MeV能量的X射线，管电压至少应为（）。
双对称旋转技术在治疗部位的电子束平均能量为（Mev）（）
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是（）
当射线能量在1.02MeV至10MeV区间，与物质相互作用的主要形式是电子对效应。
高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释，错误的是（）
射线能量在1.02MeV至10MeV区间，与物质相互作用的主要形式是电子对效应。
电子伏特是能量单位。
电子伏特是一种能量单位。（）
根据相对论，一个总能量为0.25 MeV的电子，其运动速度约等于：（ ）。
在北京正负电子对撞机中，电子可以被加速到能量为3.00X10<sup>3</sup>eV。 （1)这个电子的质量是其静质量的多少倍？ （2)这个电子的速率为多大？
要产生0.35MeV能量的X射线，管电压至少应为3500kV。（)
不同能量的电子束，有效治疗深度（cm)为电子束能量MeV的A、2009-1-2B、1/3～1/4C、1/5～1/6D、1/7～1/8E、1
