硅外延生长工艺包括()。

A . 衬底制备 B . 原位HCl腐蚀 C . 生长温度,生长压力,生长速度 D . 尾气的处理

时间:2022-09-04 02:25:51 所属题库:半导体芯片制造中级工题库

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