NPN型三极管具有电流放大作用,导通的条件是发射结加反向电压,集电结加正向电压。
三相硅整流器中每个二极管流过的正向电流为负载电流的()。
要使三极管具有正常的电流放大作用,必须在其发射结加正向电压,在集电结加反向电压
硅二极管的型号为ZP100—8F,指的是其额定电流为100A,额定电压800V,正向平均电压(),()的硅整流二极管。
三极管作电流放大时,在发射结上加正向偏置电压,在集电结上加反向偏置电压。
硅整流二极管在正向电压的作用下,电流由()流通。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流流过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
要使三极管具有正常的电流放大作用,必须在其发射结上加正向偏置,在集电结上加()偏置电压。
硅二极管两端加上正向电压时()。
当给二极管加正向电压时,有电流通过二极管。称为二极管的()。
二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为()。
要使三极管能够正常进行电流放大,在()要加正向偏置电压,()要加反向偏置电压
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。
当二极管所加电压很低时,正向()非常小,属于弱导通状态,通常称这个区域为死区。
硅二极管的正向电压约为0.2V。()
要使三极管具有正常的电流放大作用,必须在其()上加正向偏置电压。
在二极管两端加上正向电压时,电流与电压的关系正向特性。通常硅管为()V。
二极管理想模型,是指二极管承受正向电压时,其管压降为零,相当于开关闭合,当二极管承受反向电压时,其电流为零,相当于开关的断开
半导体二极管加正向电压导通时,流过的电流与对外呈现的电阻值为()。
当二极管加正向电压时,随着温度的不断上升其特性曲线整体会()移,会使得正向电流迅速增大,从而使得二极管有可能烧坏。
当正向电压很小时,二极管的正向电流几乎为零,呈现高电阻;当正向电压超过某一数值后,正向电流迅速增加,这时正向电阻很小。()
硅整流器中每个二极管的正向电流为负载电流的 倍()
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。