当()后,就形成了PN结.
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
就统计学特性而言,PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题,一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少?
一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中()。
用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起,在它们交界面上形成的特殊()称做PN结。
PN结探测器中的耗尽层是怎样形成的?耗尽层的存在与实现高能量分辨率有什么关系?
光电池的工作原理是基于光生伏特效应的,硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
涂层扩散法是用含有磷的溶液代替()进行()和加热,使磷向硅片中扩散形成pn结,具有简单易于大型化生产的优点。
将PN结串联在电路中,正极接N型部分,负极P型部分,因而在电路中形成了电流,这个电流称正向电流。()
当()运动和()运动达到动态平衡时,不再改变,PN结便形成。
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有()导电性,其中N极接正,而P极接负的电压称为()电压,此时PN结截止。
三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电, 而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。此题为判断题(对,错)。
2、反向偏置的PN结,靠近耗尽层边界的中性区内会发生()过程。
16、PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
PN结空间电荷区又称为__,在平衡条件下电性呈__,P区侧应带__,N区一侧应带__内建电场方向从__指向__
5、晶体三极管中有几个PN结?
7、PN结是在两种半导体交界面,由离子薄层形成的空间电荷区,因此PN结带电。
在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()下产生的。
18、晶闸管内部由半导体材料构成一个 三端结构,共形成 PN结,引出 、 和门极G三端。
2、在平衡的PN结两端外加反偏电压,会()。
简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。
15、PN结形成后,空间电荷区由 组成。