P-MOSFET是多数载流子工作的器件，其元件的通态电阻具有正的（），有较宽的安全工作区。
在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通晶闸管能够承受而不至损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率di/dt。
如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其他一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
普通电力二极管正向通态压降为（）V。
当开关关断时，使电流先下降到零后，电压再缓慢上升到通态值，所以关断时不会产生损耗和噪声，这种关断方式称为（）。
通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。
晶闸管的通态平均电流大于200安培，外部均为平板式。
KP20-10表示普通反向阻断型晶闸管的通态正向平均电流时（）。
变频器是利用电力半导体器件的通断作用，将（）电源变换成另一频率电源的电能控制装置。
工艺文件规定，要求垂直安装的通孔安装元器件，应使元器件的主轴与印制板表面成（）角。
在电力电子器件中，在选用SCR时，通常希望通态平均电压（）；
晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其它一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
直流斩波器是通过对电力电子器件的通断控制，将直流电压断续地加到负载上，通过改变（ ）来改变输出电压平均值。
GTR通态损耗和断态损耗较小，开关损耗较大，当开关频率越高，开关损耗是总损耗的主要部分。
电力MOSFET通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。（)
绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i1，电流波形的峰值为Im1。计算电流波形的平均值Id1与有效值I1。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991924069846758.png' />
图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i3，电流波形的峰值为Im3。计算电流波形的平均值Id3与有效值I3。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991923977221993.png' />
普通晶闸管的通态电流( )是用( )来表示
普通晶闸管的通态电流（额定电流)是用电流的（)来表示的
变频器是通过电力电子器件的通断作用将工频交流电流变换（）可调的一种电能控制装置
18、下面（）可减小IGBT的通态压降。
