由受主控制材料导电性的半导体称为（）
导体尖端由于电荷密集，电场强度很强，故容易形成“尖端放电”现象。（）
导体容易导电，是因为导体中有大量的（）。
允许大量电子自由运动的物质称为导体
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
导体在磁场中作切割磁力线运动时，导体中的自由电子因磁场力的作用而沿导线向一定方向移动，其结果使导体的一端聚集着较多的自由电子而呈现出负电荷；另一端则由于失去电子而呈现出正电荷，导体两端因出现这些电荷而产生了电位差，这就是导体上的（）。
金属导体依靠自由电子导电，其移动方向是（）。
金属导体导电是因为其内部存在着大量的带电离子。
电流形成的内因是导体内部存在大量的自由电荷。下面属于自由电荷的是（）。
电容器是储存电荷的容器。任何两块金属导体，中间用不导电的绝缘材料隔开，即可形成一个电容器。（）
金属导体内有大量的自由电荷（），在电场力的作用下，自由电子会作有规律的运动，这就是电流。计算微小电流用毫安（mA）、微安（μA）表示，计算大电流用千安（kA）。电压又称电位差，是衡量电场作功本领大小的物理量。单位伏（v）、千伏（kv）、毫伏（mv）
具有良好导电性能的物体称为半导体。
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
导体内拥有大量的自由电子或离子，其导电性能很强。电阻系数很小，一般在（）Ω•mm2/m。
具有良好导电性能的物体称为导体。
金属导体之所以导电是因为它内部存在大量的自由（）。
交联电缆导体使用的导体材料，首先必须具有良好的导电性能。
电气设备附近遭受雷击，在设备的导体上感应出大量与雷云极性相反的束缚电荷，形成过电压，称为雷电反击过电压。
P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。
由于静电感应使导体出现感应电荷。感应电荷分布在导体的表面，其分布情况取决于导体表面的形状，导体表面弯曲度愈大的地方，聚集的电荷愈多;较平坦的地方聚集的电荷就少。导体尖端由于电荷密集，电场强度很强，故容易形成"尖端放电"现象。()
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
导体具有自由电子所以能够导电（）
由于静电感应使导体浮现感应电荷。感应电荷分布在导体表面，其分布状况取决于导体表面形状，导体表面弯曲度愈大地方，汇集电荷愈多;较平坦地方汇集电荷就少。导体尖端由于电荷密集，电场强度很强，故容易形成“尖端放电”现象。()此题为判断题(对，错)。
