单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。
晶体三极管饱和导通的条件是什么？
单结晶体管导通条件表述不正确的是（）。
单结晶体管截止条件是（）。
单结晶体管导通后，其发射极电流小于谷点电流时，就会恢复截止。
单结晶体管在什么情况下导通，导通后又在什么情况下截止？
当单结晶体管的发射极电压UE升高到（）时，就会导通。
在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure<0）。
加在发射极上的电压高于峰点电压后，单结晶体管就导通。（）
晶体三极管饱和导通的条件是（）
晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。
管压降是指二级管导通时的（）
硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
由于晶体二极管是单向导通的元件，因此正向电阻值与反向电阻值相差越小越好。
在脉冲调宽开关电源中，若开关管导通时间变大、变小，占空比将随着变小、变大，变压器储存的能量会增大、减小。
在单结晶体管触发电路中，调小电位器的阻值，会使晶闸管的导通角（）。
在三相星形桥式接法中，每个功率管导通120电角度。
单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时，晶体管导通。（ ）
单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。此题为判断题(对，错)。
某场效晶体管的 U GS （） = 3V 。 什么情况下该管导通？
单结晶体管脉冲触发电路中，调节电位器RP可以改变电容C充电的快慢，即改变触发角，RP变大或C值越大则控制角也越大，可控硅的导通角也越大。（)
单结晶体管触发电路在一个电源周期内可能产生多个触发脉冲，通常每个触发脉冲都使单结晶体管由截止变导通一次。此题为判断题(对，错)。
在单结晶体管触发电路中，调小电位器的阻值，会使晶闸管的导通角θ（）
普通品闸管导通的条件为()。
