锗低频小功率三极管型号为（）
检测小功率晶体三极管的正反向电阻，可以用万用表R×1Ω或R×10KΩ挡。
JSS-4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和（）的常用仪器。
已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA，则其微变等效输入内阻为（）。
低频大功率三极管（NPN型锗材料）管用（）表示。
若小功率晶体二极管正、反向电阻均为零，那么二极管已损坏。
锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。
晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构，两者的结构和工作原理不一样。（）
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体三极管低频小信号放大器能（）。
二极管型号“2B、W”表示P型锗材料稳压型二极管。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
根据制造材料的不同，三极管分为锗三极管和（）。
型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
高频大功率三极管（PNP型锗材料）管用（）表示。
用JT一1型晶体管特性图示仪测试小功率晶体三极管时，功耗电阻应选得（）。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
大功率、小功率、高频、低频三极管的图形符号是一样的。（)
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
用JT-1型晶体管特性图示仪测试小功率晶体三极管时，功率电阻应选得（）
硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
2CK表示是（);2CZ表示是（);2DW表示是（);3AX表示是（)材料,（)型低频小功率管;3DG表示是（)材料,（)型高频小功率管。
