二氧化硅薄膜厚度的测量方法有()。
时间:2022-11-10
一般来说,溅射镀膜的过程包括()这几步。
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是()。
二氧化硅膜的质量要求有()。
()的气体源中一般包含H+,C+,B+,Cl+,O+等离子。
时间:2022-11-09
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
时间:2022-11-08
离子源产生的离子在()的加速电场作用下得到加速。
沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
时间:2022-11-07
关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。
干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。
时间:2022-11-06
画出自动焊接工艺流程图。
时间:2022-11-05
以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
时间:2022-11-04
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有()。
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。