单晶硅谐振式压力(差压)变送器在单晶硅芯片上采用微电子机械加工技术,在其表面的中心和边缘制作成两个形状、大小完全一致的H形状的谐振梁,分别将压力或差压信号转换为(),送到脉冲计数器,再将两频率之差直接送到微处理器进行数据处理,将D/A换转后输出4~20mADc信号,两频率之差对应不同的压力信号.
由于一种新的电池技术装置的出现，手机在几分钟内充满电很快就会变成现实。这种新装置是一种超级电容器，它储存电流的方式是通过让带电离子聚集到多孔材料表面，而非像传统电池那样通过化学反应储存这些离子。因此这种超级电容器能在几分钟内储满电。研究人员认为这种技术装置将会替代传统电池。 以下哪项如果为真，不能支持上述结论（ ）
（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。
用于生产半导体元件的多晶硅在拉制成单晶硅之前纯度必须达到的起码要求是（）
晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。
由于单晶硅基片的制造技术和（）等的半导体技术有很多的共同点，因此新技术从半导休整上导入是有右能的，最近引人注目的技术之一是（）。
单晶硅与多晶硅的区别？
由于一种新的电池技术装置的出现，手机在几分钟内充满电很快就会变成现实。这种新装置是一种超级电容器，它储存电流的方式是通过让带电离子聚集到多孔材料表面，而非像传统电池那样通过化学反应储存这些离子。因此这种超级电容器能在几分钟内储满电。研究人员认为这种技术装置将会替代传统电池。 以下哪项如果为真，不能支持上述结论：
结晶硅具有（）型能带结构，因此吸收系数较小，有必要进行封闭，活性层的厚度为数µm的薄膜太阳能电池也可得到高的转换效率。
通过控制多晶硅电池表面氮化硅的厚度可以使电池表面呈现不同的色彩，其中厚度为210nm的显示的颜色为（）。
单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。
结晶硅的理论极限为（），其研究阶段为（），大量生产规模为18%—20%。
由于线切割面是被机械冲击过，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面（）的程度。
用半导体的微细加工技术，在非晶基片上通过使用微细的表面结构，考察了单晶成长方法，并命名为（）
异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法？
结晶硅和无定形硅的标准摩尔燃烧焓分别为 -850.6 kJ·mol-1和 -867.3 kJ·mol-1，则由结晶硅转化为无定形硅的标准摩尔反应焓变为
宝石主要是指单晶质矿物体，玉石主要是指多晶质矿物集合体，因此，宝石的硬度往往比玉石的硬度高。
下列材料中哪些具有各向异性，那些没有各向异性？单晶体纯铁、多晶体铜、玻璃、结晶性塑料、经拉伸后的高聚物纤维(形变量400%)。
大部分初次佩戴助听器的小儿，很难像成人那样可以与验配师默契配合，更不能准确描述助听器佩戴后的感觉，因此，小儿的助听器效果评估需要多种方法和多次测试才能准确。目前常用的有 ()等多种方法，应根据小儿的年龄和配合程度自由组合。
半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
多晶硅还原炉内硅棒表面温度控制为1080－1100℃。（)
35、11.由于人面临的环境存在复杂性和不确定性以及人对环境的计算能力和认识能力是有限的，因此，行为决策者不能像新古典经济学模型描述的那样，在已知的效用函数或偏好序列条件下追求最大化。
