晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
半导体二极管有3个特性，它们是正向特性，反向特性，反向击穿特性
可利用稳压管的反向电流变化很大而反向击穿电压（）的特性达到稳压目的。
稳压二极管是利用PN结，反向击穿的特性，运用特殊的工艺方法制成的。
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
晶体三极管的输出特性分为（）。
利用半导体二极管的反向击穿特性，可以组成二极管稳压电路。
晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。
晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）三个区域。
硅稳压管是利用二极管的反向击穿特性制成的。（）
晶体三极管有NPN和PNP之分，它们有二个PN结。按输入特性分为三个区：即放大区、截止区和饱和区。
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。
晶体二极管具有单向导电特性，其反向电阻远大于正向电阻，利用万用表R×1K挡，可判断其正负极。若测出的电阻值为几百到几千欧，说明是（），负表笔接的是二极管的正极，正表笔接的二极管的负极。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
JT一1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。
何谓二极管的反向击穿特性？
晶体二极管输出特性曲线放大区中，平分线的间隔可直接反映出晶体三极管（）
晶体三极管输出特性曲线放大区中，平行线的间隔可直接反映出晶体三极管（）的大小。
3、PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
晶体三极管的输出特性曲线可分为()、()、()三个区域。
稳压二极管是利用了其反向击穿特性
1、测量电阻的伏安特性、发光二极管的正反向伏安特性和稳压管的正反向伏安特性。 整理实验数据,根据实验数据在u-i坐标系下画出电阻、发光二极管、稳压管的伏安特性曲线。 根据实验数据结果总结元件的特性。 思考：如何用万用表判断稳压管的极性及好坏；测量二极管的伏安特性时，正向伏安特性电路图与反向伏安特性电路图的不同在哪里，为什么？稳压管的稳压功能是利用伏安特性曲线的哪一部分，为什么？ 撰写实验报告。
5、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
