晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
场效应管的三个电极分别是（）、源极和栅极。
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。
半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么？
功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
什么是MOS管的体效应？
美国加州伯克利分校在20世纪70年代末推出的SPICE软件中包含的三个内建MOS场效应管模型是什么？
场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体管的要小。
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
以下哪些是功率场效应管的特点（）。
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）
手机中的晶体管与场效应管的颜色绝大多数是（）。
场效应管的放大功能是依赖于（）实现的.
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
场效应管增强型MOS管具有开启电压（）
场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
