晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
场效应管是电压放大器件。
场效应管是电压控制器件，具有高输入电阻和低噪音的特性.
MOS场效应管的英语缩写是（）。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
美国加州伯克利分校在20世纪70年代末推出的SPICE软件中包含的三个内建MOS场效应管模型是什么？
焊接点区域加温时，一般元器件的焊接时间为3秒，场效应管、MOS等电路等控制在（），接线柱、插头、插座、钮子开关、波段开关、焊片等可控制在3–5秒。
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。
增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。
绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在（）区
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
绝缘栅场效应管结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（）
场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。
69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
2、场效应管可以分为绝缘栅型和增强型两种。
11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
