硅PN结的正向导通电压约为（）.
某电阻元件的电阻值R＝1kΩ，额定功率PN=2.5W，正常使用时允许流过的最大电流为（）。
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。
如果测得三极管b、e极间和b、c极间PN结的正反向电阻都很大，这说明三极管（）。
1三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，因此能用两个二极管组成一个两PN结的三极管。
如果用万用表测得三极管b、e极间和b、c极间PN结的正、反向电阻都很大，这说明（）。
用万用表分别测量b、c极间PN结的正、反向电阻粗略判别半导体三极管的好坏，下面说法正确的是（）。
硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。
半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结
锗材料PN结的结压降为（）。
加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象叫PN结（）。
用万用表分别测量b、e极间和b、c极间PN结的正、反向电阻，如果测得正、反向电阻相差较大，这说明三极管（）。
3、PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。
某电阻元件的电阻值R=1kΩ，额定功率PN=2.5W，正常使用时允许流过的最大电流为（)。
某电阻元件的电阻值R=1k，额定功率PN=2.5W。正常使用时允许流过的最大电流为
用万用表测量小功率二极管时，需把万用表的旋钮拨到电阻R³l00挡或R³1k挡然后用两根表棒测量二极管的正反向电阻值。()
用欧姆档测量晶体管的正反向电阻或极性时，应选用R×1k或R×100挡位（）
（）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态
PN结的单向导电性不能用R×10K档测量二极管的原因是该档位（）
PN结的单向导电性用万用表检查二极管的好坏，正反各测两次，当两次测量为如下（）状态时，二极管为坏的
可用万用表分别测量三极管b、e用间和b、c极间PN结的正、反向电阻；如果测得正、反向电阻相差较大，说明管子基本上是（)。
3、PN结伏安特性方程可以描述PN结的 特性。
