硅二极管正向导通电压应为()。
硅二极管的正向导通电压一般是()V。
硅管的正向导通电压约为0.7V.
硅二极管反向导通电流一般()。
硅二极管的正向导通电压为()伏左右。
硅管的导通电压约为0.3V。
硅PN结的正向导通电压约为().
常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
硅稳压管正常工作时,是工作在PN结的()。
锗三极管发射结的正向导通电压为()。
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
硅二极管正向导通电压为__ __伏,锗二极管正向导通电压为___伏。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 ()
硅元素二极管的导通电压约为();锗元素二极管的导通电压约为();
题目45.在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()
()用R×1k档对PN结进行测量时,硅材料PN结的正向阻值为3k~7k欧姆之间,反向阻值为无穷大
()当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时,三极管处于截止状态
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
4、发光二极管的正向导通电压一般在()V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()