硅管和锗管是两种不同材料的晶体三极管。晶体三极管的排列方式分为（）和（）。
硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
硅管的死区电压约为（）。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。
区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。
下列说法中，正确的有（） ①黄铜管是纯铜管 ②紫铜管是铜与锌的合金管 ③紫铜管比黄铜管的密度大
从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
硅管与锗管的死区电压分别为（）。
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
常温下二极管的门限电压或阀电压，硅管一般为（）左右，锗管为（）左右。
采用大直径下降管比采用小直径下降管的循环倍率（）。
硅管比锗管受温变影响（）。
按制作材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。
硅管比锗管受温度影响（）。
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
三极管按其制作材料分为硅管和锗管。此题为判断题(对，错)。
通常硅管的死区电压约为（）
硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
二极管正向导通时，压降很小，硅管 0.2－ 0.3V,锗管0.5－ 0.7V。（)
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
鉴别硅管和锗管时，可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右（）
