硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
硅管的死区电压约为（）。
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
二极（硅）管的死区电压为（）。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。
硅管的正向导通电压约为0．7V．
硅管的导通电压约为0．3V。
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
硅管的正向电压为0．2V。
硅管与锗管的死区电压分别为（）。
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
硅二极管的死区电压约为（）。
硅管的正向电压为（）V。
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）
