在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。

在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

短路故障将会使非故障元件的使用寿命缩短或损坏。

在P型半导体中，（）是多数载流子。

在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）

使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。

在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。

半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。

在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。

在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

10、在纯净的半导体中掺了杂质后，其导电能力大大增强。

7、向PN结中掺金，可以

2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。

有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10²²cm^-3·s^-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？

2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？

6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。