N型杂质半导体中，多数载流子是（）
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
试压后，发现渗漏可以采用胀接方法，胀接工作不宜在室温低于（）的条件下进行。
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
杂质半导体中少数载流子浓度（）
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
载流导体在磁场作用下产生磁力其方向由（）判断。
试压后，发现渗漏可以采用胀接方法，胀接工作不宜在室温低于0℃的条件下进行。
试压后，发现渗漏后可以采用胀接方法，胀接工作不宜在室温低于（）的条件下进行。
什么叫统计分布函数，费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者，为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？
空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
有三种不同材料的导体薄片，它们的载流子浓度之比为1:2:3，厚度之比也为1;2:3，当通过它们的电流I相同、垂直于它们的磁感应强度B也相同时，则它们的霍尔电势差之比为
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
试压后，发现渗漏后可以采用胀接方法，胀接工作不宜在室温低于（）的条件下进行
2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是（）。
1、请问在相同的环境条件下，本征半导体材料和杂质半导体材料哪种材料的导电能力更强？为什么？
