当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。
晶体三极管的发射结正偏时，三极管一定工作在放大状态。
晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。
当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用。
当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。
三极管工作在放大状态的外部条件是，发射结正偏，集电结反偏 。
晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
3、晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
发射结处于正偏的晶体管，它一定工作在放大区（）
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
三极管的输入输出曲线发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在（）区的外部条件
半导体三极管放大原理当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）
晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）
4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。
1、晶体管发射结正偏导通时，工作状态有 和 两种可能。
