高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结（）。
为了使晶体管在放大器中正常工作，需要发射结外加（）电压，集电结外加（）电压。
“PNP”和“NPN”符号中的箭头方向是发射结正向偏转时的方向。
NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加上正向电压，集电结加反向电压。
晶体管工作在放大区时，发射结处于（）。
当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（）
在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
普通晶体管用作放大时，输入端发射结保持为（）。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
单结晶体管的图形符号中有（）发射极。
晶体管工作在饱和状态时，发射结反偏。（ ）
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
右图中箭头表示三极管发射结正偏时的()方向。
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
晶体管符号中的箭头表示发射结导通时电流的方向。（）
晶体三极管图形符号中的箭头表示二极管的电流方向。（)
3、晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
